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IRF7316PBF
器件3D模型
0.618
IRF7316PBF 数据手册 (7 页)
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IRF7316PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.058 Ω
极性
Dual P-Channel
功耗
2 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
4.9A
上升时间
13 ns
输入电容值(Ciss)
710pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
32 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

IRF7316PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7316PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.19 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
15 页 / 0.24 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.11 MByte

IRF7316 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
2个P沟道 30V 4.9A
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7316TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1 V
International Rectifier(国际整流器)
P沟道,-30V,-4.9A,58mΩ@-10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7316PBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 4.9 A, -30 V, 58 mohm, -10 V, -1 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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