Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRF7319PBF Datasheet 文档
IRF7319PBF
器件3D模型
0.186
IRF7319PBF 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF7319PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电流
6.50 A
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
29 mΩ
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
2 W
零部件系列
IRF7319
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
6.50 A
上升时间
13.0 ns
输入电容值(Ciss)
650pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃

IRF7319PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF7319PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.13 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.11 MByte

IRF7319 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET®功率MOSFET HEXFET?? Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7319TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7319PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 29 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7319PBF  双路场效应管, N/P通道, MOSFET, 30V, SOIC 新
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF7319 数据手册

热门型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z