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SCT2H12NZGC11 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-3

描述:

ROHM SCT2H12NZGC11 功率场效应管, MOSFET, 碳化硅 (SiC), N沟道, 3.7 A, 1.7 kV, 1.15 ohm, 18 V, 2.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SCT2H12NZGC11 数据手册 (14 页)

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SCT2H12NZGC11 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.15 Ω

极性

N-Channel

功耗

35 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

1.7 kV

漏源击穿电压

1700 V

上升时间

21 ns

输入电容值(Ciss)

184pF @800V(Vds)

下降时间

74 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

35W (Tc)

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SCT2H12NZGC11 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

175℃ (TJ)

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SCT2H12NZGC11 符合标准

SCT2H12NZGC11 海关信息

SCT2H12NZGC11 概述

SCT2H12NZGC11 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

14 页 / 0.76 MByte

SCT2H12NZGC11 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

15 页 / 1.02 MByte

SCT2H12NZGC11 开发手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

41 页 / 0.88 MByte

SCT2H12 数据手册

SCT2H12NZGC11 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM SCT2H12NZGC11 功率场效应管, MOSFET, 碳化硅 (SiC), N沟道, 3.7 A, 1.7 kV, 1.15 ohm, 18 V, 2.8 V

SCT2H12NYTB 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

碳化硅功率MOSFET, N沟道, 4 A, 1.7 kV, 1.15欧姆, 18V, 2.8 V

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