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IRF7319PBF
器件3D模型
1
IRF7319PBF 数据手册 (10 页)
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IRF7319PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2 W
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.029 Ω
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
2 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
6.5A/4.9A
输入电容值(Ciss)
650pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2 W

IRF7319PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7319PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.21 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.02 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.68 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.11 MByte

IRF7319 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET®功率MOSFET HEXFET?? Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7319TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7319PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 29 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7319PBF  双路场效应管, N/P通道, MOSFET, 30V, SOIC 新
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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