器件3D模型

￥ 0.764

IRF7329PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

INFINEON IRF7329PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 9.2 A, -12 V, 17 mohm, -4.5 V, -900 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7329PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF7329PBF 数据手册 (9 页)

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IRF7329PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2 W

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.017 Ω

极性

P-Channel

功耗

2 W

阈值电压

900 mV

漏源极电压(Vds)

12 V

漏源击穿电压

12 V

连续漏极电流(Ids)

9.2A

上升时间

8.6 ns

输入电容值(Ciss)

3450pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

260 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2 W

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IRF7329PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

5 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF7329PBF 符合标准

IRF7329PBF 概述

IRF7329PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.16 MByte

IRF7329PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF7329PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 0.24 MByte

IRF7329PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF7329PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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