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ZVP3310FTA
0.069
ZVP3310FTA 数据手册 (2 页)
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ZVP3310FTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-75.0 mA
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
20 Ω
极性
P-Channel
功耗
0.33 W
输入电容
50.0 pF
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
75.0 mA
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
50pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
330 mW
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
330 mW

ZVP3310FTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZVP3310FTA 数据手册

Diodes(美台)
2 页 / 0.11 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
5 页 / 0.17 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.15 MByte

ZVP3310 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
-100V,-75mA,P沟道MOSFET
Diodes(美台)
ZVP3310 系列 P 沟道 100 V 140 mA 625 mW 垂直 DMOS FET - TO-92
Zetex
ZVP3310FTA P沟道MOS场效应管 -100V -75mA 20ohm SOT-23 marking/标记 MR
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZVP3310F  晶体管, MOSFET, P沟道, 75 mA, -100 V, 20 ohm, -10 V, -3.5 V
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,100V 至 450V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,100V 至 450V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, P沟道, 75 mA, -100 V, 20 ohm, -10 V, -3.5 V
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