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器件3D模型
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IRF7329TR 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
分类:
晶体管
封装:
SOIC-8
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
IRF7329TR 数据手册 (9 页)
封装尺寸
在
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电气规格
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IRF7329TR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
12 V
连续漏极电流(Ids)
9.2A
输入电容值(Ciss)
3450pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
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IRF7329TR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRF7329TR 符合标准
IRF7329TR 数据手册
IRF7329TR
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Infineon(英飞凌)
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IRF7329 数据手册
IRF7329
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International Rectifier(国际整流器)
IRF7329
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Infineon(英飞凌)
IRF7329
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
IRF7329
PBF
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7329PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 9.2 A, -12 V, 17 mohm, -4.5 V, -900 mV
IRF7329
TRPBF
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P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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