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Datasheet 搜索 > 晶体管 > Infineon(英飞凌) > IRF7329TR Datasheet 文档
IRF7329TR
器件3D模型
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IRF7329TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
12 V
连续漏极电流(Ids)
9.2A
输入电容值(Ciss)
3450pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
2 W

IRF7329TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7329TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.08 MByte

IRF7329 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7329PBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 9.2 A, -12 V, 17 mohm, -4.5 V, -900 mV
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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