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IRF7331PBF
器件3D模型
0.372
IRF7331PBF 数据手册 (1 页)
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IRF7331PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
7.00 A
封装
SOIC-8
极性
N-Channel, Dual N-Channel
功耗
2 W
零部件系列
IRF7331
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20.0 V
连续漏极电流(Ids)
7.00 A
上升时间
22.0 ns
输入电容值(Ciss)
1340pF @16V(Vds)
额定功率(Max)
2 W

IRF7331PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube

IRF7331PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
1 页 / 0.71 MByte

IRF7331 数据手册

Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
N 沟道 20 V 2 W 13 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7331PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 1.2 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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