器件3D模型

￥ 0.811

IRF7341GTRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7341GTRPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF7341GTRPBF 数据手册 (9 页)

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IRF7341GTRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.043 Ω

极性

N-CH

功耗

1.7 W

阈值电压

1 V, 1 V

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

5.1A

上升时间

7.7 ns

输入电容值(Ciss)

780pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.4 W

下降时间

12.5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2400 mW

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IRF7341GTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

宽度

3.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF7341GTRPBF 符合标准

IRF7341GTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.19 MByte

IRF7341GTRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF7341GTRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF7341GTRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF7341GTRPBF 开发手册

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37 页 / 2.01 MByte

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