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IRF7341PBF
器件3D模型
0.356
IRF7341PBF 数据手册 (7 页)
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IRF7341PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
4.70 A
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.05 Ω
极性
N-Channel, Dual N-Channel
功耗
2 W
零部件系列
IRF7341
阈值电压
1 V
输入电容
780pF @25V
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
连续漏极电流(Ids)
4.70 A
上升时间
3.20 ns
热阻
62.5℃/W (RθJA)
输入电容值(Ciss)
740pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃

IRF7341PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF7341PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
7 页 / 0.15 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.11 MByte

IRF7341 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7341TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7341TRPBF  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7341PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7341PBF  双路场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, SOIC 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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