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IRF7341QPBF
器件3D模型
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IRF7341QPBF 数据手册 (9 页)
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IRF7341QPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC
极性
Dual N-Channel
功耗
2.4 W
零部件系列
IRF7341Q
漏源极电压(Vds)
55.0 V
漏源击穿电压
55.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.10 A

IRF7341QPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

IRF7341QPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.2 MByte

IRF7341 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7341TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7341TRPBF  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7341PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7341PBF  双路场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, SOIC 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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