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Datasheet 搜索 > 晶体管 > Infineon(英飞凌) > IRF7341QTRPBF Datasheet 文档
IRF7341QTRPBF
器件3D模型
0.487
IRF7341QTRPBF 数据手册 (9 页)
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IRF7341QTRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
极性
N-CH
功耗
2.4 W
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
5.1A
输入电容值(Ciss)
780pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.4 W

IRF7341QTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF7341QTRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.2 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.25 MByte

IRF7341 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7341TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7341TRPBF  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7341PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7341PBF  双路场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, SOIC 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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