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IRF7342PBF
器件3D模型
0.555
IRF7342PBF 数据手册 (7 页)
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IRF7342PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
-55.0 V
额定电流
-3.40 A
封装
SOIC-8
极性
P-Channel, Dual P-Channel
功耗
2 W
零部件系列
IRF7342
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
-55.0 V
连续漏极电流(Ids)
-3.40 A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
690pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
22 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

IRF7342PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube

IRF7342PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
7 页 / 0.15 MByte

IRF7342 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7342TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.4 A, -55 V, 0.095 ohm, -10 V, -1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7342TRPBF  场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2W, 8-SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7342PBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3.4 A, -55 V, 105 mohm, -10 V, -1 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
FETKEY 系列 -55 V 105 mOhm Mosfet 用于降压稳压器应用 - SO-8
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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