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IRF7342QTRPBF
器件3D模型
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IRF7342QTRPBF 数据手册 (8 页)
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IRF7342QTRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
通道数
2 Channel
极性
P-CH
功耗
2 W
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
连续漏极电流(Ids)
3.4A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
690pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
22 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

IRF7342QTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Discontinued at Digi-Key
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7342QTRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.63 MByte

IRF7342 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7342TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.4 A, -55 V, 0.095 ohm, -10 V, -1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7342TRPBF  场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2W, 8-SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7342PBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3.4 A, -55 V, 105 mohm, -10 V, -1 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
FETKEY 系列 -55 V 105 mOhm Mosfet 用于降压稳压器应用 - SO-8
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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