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IRF7406GTRPBF
器件3D模型
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IRF7406GTRPBF 数据手册 (9 页)
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IRF7406GTRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
极性
P-Channel
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
6.7A
上升时间
33 ns
输入电容值(Ciss)
1100pF @25V(Vds)
下降时间
47 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRF7406GTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7406GTRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.08 MByte

IRF7406 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
Infineon(英飞凌)
HEXFET® P 通道功率 MOSFET,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7406PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 5.2 A, -30 V, 45 mohm, -10 V, -1 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
P沟道 30V 5.8A
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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