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IRF740B
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IRF740B 数据手册 (10 页)
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IRF740B 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
430 mΩ
极性
N-Channel
功耗
134 W
漏源极电压(Vds)
400 V
漏源击穿电压
400 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
10.0 A
上升时间
80 ns
输入电容值(Ciss)
1800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
134 W
下降时间
85 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
134W (Tc)

IRF740B 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF740B 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.93 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.87 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

IRF740 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 400V - 0.48欧姆 - 10 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 10A , 350V / 400V N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
Intersil(英特矽尔)
10A , 400V , 0.550 Ohm的N通道功率MOSFET 10A, 400V, 0.550 Ohm, N-Channel Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Magnatec
N-Channel MOSFET Transistors, Semelab ### MOSFET 晶体管,Semelab
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