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DTC114EE
0.009
DTC114EE 数据手册 (3 页)
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DTC114EE 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
EMT
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.1A

DTC114EE 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
最小包装数量
3000

DTC114EE 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
3 页 / 0.07 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.06 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
3 页 / 0.06 MByte

DTC114 数据手册

Leshan Radio(乐山无线电)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTC114EKAT146  单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTC114EETL  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 150 mW, 100 mA, 30 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  DTC114EET1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-416
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTC114YKAT146  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 68 hFE
ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTC114YETL  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.22 电阻比率, SOT-416
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
DTC114EUA 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 数字晶体管 - SC-70
ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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