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IRF7425TRPBF
器件3D模型
0.469
IRF7425TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRF7425TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2.5 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0082 Ω
极性
P-CH
功耗
2.5 W
阈值电压
1.2 V
输入电容
7980 pF
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
15A
上升时间
20 ns
输入电容值(Ciss)
7980pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
160 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRF7425TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7425TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.18 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.04 MByte

IRF7425 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7425TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -20 V, 0.0082 ohm, -4.5 V, -1.2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7425PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 15 A, -20 V, 8.2 mohm, 4.5 V, 1.2 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7425TRPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -15A, -20V, 8-SOIC
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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