器件3D模型

￥ 0.66

IRF7451PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRF7451PBF 数据手册 (28 页)

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IRF7451PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2.5 W

极性

N-CH

功耗

2.5W (Ta)

漏源极电压(Vds)

150 V

连续漏极电流(Ids)

3.6A

上升时间

4.2 ns

输入电容值(Ciss)

990pF @25V(Vds)

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

IRF7451PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃

IRF7451PBF 符合标准

IRF7451PBF 数据手册

IRF7451PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 1.49 MByte

IRF7451PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF7451PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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功率MOSFET （ VDSS = 150V ， RDS（ON）最大值= 0.09ohm ，ID = 3.6A ） Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A)

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晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 150 V, 0.09 ohm, 10 V, 5.5 V

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