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IRF7468PBF
器件3D模型
0.118
IRF7468PBF 数据手册 (8 页)
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IRF7468PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2.5 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0155 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
9.4A
上升时间
2.3 ns
输入电容值(Ciss)
2460pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
3.8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRF7468PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7468PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.12 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRF7468 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 40V ,ID =输出高达9.4A ) Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.4A)
Infineon(英飞凌)
IRF7468TRPBF 编带
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7468PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.4 A, 40 V, 15.5 mohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 40V 9.4A
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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