器件3D模型

￥ 0.062

NTLJS3113PT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

WDFN-6

描述:

-20V,-9.5A,uCOOLP沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

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焊盘图

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NTLJS3113PT1G 数据手册 (6 页)

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NTLJS3113PT1G 数据手册 (6 页)

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NTLJS3113PT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-7.70 A

封装

WDFN-6

极性

P-Channel

功耗

1.9 W

阈值电压

0.67 V

输入电容

1.33 nF

栅电荷

15.7 nC

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

7.70 A, -5.80 A

上升时间

17.5 ns

输入电容值(Ciss)

1329pF @16V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

下降时间

56.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

700mW (Ta)

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NTLJS3113PT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

2 mm

高度

0.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTLJS3113PT1G 符合标准

NTLJS3113PT1G 海关信息

NTLJS3113PT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.15 MByte

NTLJS3113PT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.47 MByte

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