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IRF7601TRPBF
0.528
IRF7601TRPBF 数据手册 (8 页)
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IRF7601TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
Micro-8
额定功率
1.8 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.035 Ω
极性
N-Channel
功耗
1.8 W
阈值电压
700 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
5.7A
上升时间
47 ns
输入电容值(Ciss)
650pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1.8 W
下降时间
32 ns
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
1.8W (Ta)

IRF7601TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7601TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.2 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte

IRF7601 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(ON) = 0.035ohm ) Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.035ohm)
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 20 V, 0.035 ohm, 4.5 V, 700 mV
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7601PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 20 V, 35 mohm, 4.5 V, 700 mV
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 20V 5.7A
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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