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IRF7779L2TR1PBF
4.092
IRF7779L2TR1PBF 数据手册 (11 页)
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IRF7779L2TR1PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
5 Pin
封装
DirectFET™ Isometric L8
额定功率
125 W
漏源极电阻
9 mΩ
极性
N-Channel
功耗
125 W
零部件系列
IRF7779L2
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
150 V
连续漏极电流(Ids)
11.0 A
输入电容值(Ciss)
6660pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.3 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF7779L2TR1PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRF7779L2TR1PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.25 MByte
International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.27 MByte

IRF7779L2TR1 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7779L2TR1PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 150 V, 9 mohm, 10 V, 4 V
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