IXFN106N20

￥ 6.97

IXFN106N20 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFN106N20 数据手册 (5 页)

IXFN106N20 数据手册 (5 页)

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IXFN106N20 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

106 A

封装

SOT-227-4

额定功率

520 W

漏源极电阻

20.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

520 W

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

106 A

上升时间

80.0 ns

输入电容值(Ciss)

9000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

520 W

耗散功率(Max)

521W (Tc)

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IXFN106N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFN106N20 符合标准

IXFN106N20 数据手册

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