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IRF7820TRPBF
器件3D模型
0.54
IRF7820TRPBF 数据手册 (10 页)
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IRF7820TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0625 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
4 V
输入电容
1750 pF
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
连续漏极电流(Ids)
3.7A
上升时间
3.2 ns
输入电容值(Ciss)
1750pF @100V(Vds)
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRF7820TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7820TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.22 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte

IRF7820 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7820TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 200 V, 0.0625 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7820PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 200 V, 0.0625 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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