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IRF7821TRPBF
器件3D模型
0.318
IRF7821TRPBF 数据手册 (10 页)
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IRF7821TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2.5 W
漏源极电阻
0.007 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
13.6A
上升时间
2.7 ns
输入电容值(Ciss)
1010pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
7.3 ns
工作温度(Max)
155 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRF7821TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 155℃ (TJ)

IRF7821TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.27 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

IRF7821 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Richtek(立锜)
IRF
功率MOSFET Power MOSFET
TI(德州仪器)
双路同步降压 - 控制器具有Out-of - Audio⑩操作和100mA LDO的用于笔记本系统电源 Dual-Synchronous, Step-Down Controller with Out-of-Audio? Operation and 100-mA LDOs for Notebook System Power
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7821PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 13.6 A, 30 V, 9.1 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
30V,13.6A,N沟道功率MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
30V,9.1mΩ,13.6A,N沟道功率MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
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