器件3D模型

￥ 0.693

IRF7853PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7853PBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

IRF7853PBF 数据手册 (8 页)

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IRF7853PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2.5 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.018 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

4.9 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

8.3A

上升时间

6.6 ns

正向电压(Max)

1.3 V

输入电容值(Ciss)

1640pF @25V(Vds)

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

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IRF7853PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF7853PBF 符合标准

IRF7853PBF 概述