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Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRF7853TRPBF Datasheet 文档
IRF7853TRPBF
器件3D模型
0.497
IRF7853TRPBF 数据手册 (8 页)
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IRF7853TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
漏源极电阻
18 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
零部件系列
IRF7853
输入电容
1640pF @25V
漏源极电压(Vds)
100 V
输入电容值(Ciss)
1640pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF7853TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF7853TRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.2 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.2 MByte

IRF7853 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7853TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3A, 100V SOIC-8
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,100V,8.3A,18mΩ@10V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,100V,8.3A,18mΩ@10V
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