器件3D模型

￥ 0.424

IRF7853TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

INFINEON IRF7853TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3A, 100V SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7853TRPBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

IRF7853TRPBF 数据手册 (8 页)

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IRF7853TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2.5 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.018 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

4.9 V

输入电容

1640 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

8.3A

上升时间

6.6 ns

输入电容值(Ciss)

1640pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

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IRF7853TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF7853TRPBF 符合标准

IRF7853TRPBF 海关信息

IRF7853TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.2 MByte

IRF7853TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF7853TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF7853TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF7853TRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF7853TRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.14 MByte

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