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IRF8010LPBF
1.646
IRF8010LPBF 数据手册 (11 页)
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IRF8010LPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-262
额定功率
260 W
漏源极电阻
0.015 Ω
极性
N-CH
功耗
260 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
80A
上升时间
130 ns
输入电容值(Ciss)
3830pF @25V(Vds)
下降时间
120 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
260 W

IRF8010LPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
高度
10.54 mm

IRF8010LPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.21 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.21 MByte

IRF8010 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF8010PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF8010STRLPBF.  场效应管, MOSFET 晶体管
International Rectifier(国际整流器)
IRF8010PBF 管装
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF8010SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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