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IRF8010PBF
0.699
IRF8010PBF 数据手册 (9 页)
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IRF8010PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
80.0 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
15 mΩ
极性
N-Channel
功耗
260 W
零部件系列
IRF8010
输入电容
3830pF @25V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
80.0 A
上升时间
130 ns
输入电容值(Ciss)
3830pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
260 W
下降时间
120 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
260000 mW

IRF8010PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.54 mm
宽度
4.4 mm
高度
8.77 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRF8010PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
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IRF8010 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF8010PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF8010STRLPBF.  场效应管, MOSFET 晶体管
International Rectifier(国际整流器)
IRF8010PBF 管装
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF8010SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 4 V
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