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IRF820 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF820 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

IRF820 数据手册 (12 页)

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IRF820 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

4.00 A

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

3 Ω

极性

N-Channel

功耗

80 W

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

4.00 A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

315pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

80 W

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

65 ℃

耗散功率(Max)

80W (Tc)

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IRF820 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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IRF820 符合标准

IRF820 概述

IRF820 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.28 MByte

IRF820 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.26 MByte

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