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IRF830APBF
1.058
IRF830APBF 数据手册 (9 页)
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IRF830APBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
5.00 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.4 Ω
极性
N-Channel
功耗
74 W
阈值电压
4.5 V
输入电容
620 pF
栅电荷
24.0 nC
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
连续漏极电流(Ids)
5.00 A
上升时间
21.0 ns
输入电容值(Ciss)
620pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
74 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
74 W

IRF830APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.01 mm
最小包装数量
50

IRF830APBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 1.13 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 1.14 MByte

IRF830 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 4.5 A , 450V / 500V N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V
Advanced Power Electronics(富鼎先进电子)
Harris
N沟道 500V 4.5A
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
4.5A , 500V , 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET 4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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