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IRF830PBF
0.211
IRF830PBF 数据手册 (7 页)
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IRF830PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
4.50 A
封装
TO-220-3
额定功率
74 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.5 Ω
极性
N-Channel
功耗
74 W
阈值电压
4 V
输入电容
610 pF
栅电荷
38.0 nC
漏源极电压(Vds)
500 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.50 A
上升时间
16 ns
输入电容值(Ciss)
610pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
74 W
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
74000 mW

IRF830PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF830PBF 数据手册

VISHAY(威世)
7 页 / 0.87 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 0.26 MByte

IRF830 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 4.5 A , 450V / 500V N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V
Advanced Power Electronics(富鼎先进电子)
Harris
N沟道 500V 4.5A
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
4.5A , 500V , 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET 4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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