￥ 0.211

IRF830PBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF830PBF 数据手册 (7 页)

封装尺寸在7 页

IRF830PBF 数据手册 (7 页)

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IRF830PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

4.50 A

封装

TO-220-3

额定功率

74 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.5 Ω

极性

N-Channel

功耗

74 W

阈值电压

4 V

输入电容

610 pF

栅电荷

38.0 nC

漏源极电压(Vds)

500 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

4.50 A

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

610pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

74 W

下降时间

16 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

74000 mW

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IRF830PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRF830PBF 符合标准

IRF830PBF 数据手册

VISHAY（威世）

7 页 / 0.87 MByte

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9 页 / 0.26 MByte

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