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LF347BN
器件3D模型
0.428
LF347BN 数据手册 (51 页)
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LF347BN 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
14 Pin
电源电压
15.0 V
封装
DIP-14
输出电流
31.0 mA
供电电流
8 mA
电路数
4 Circuit
通道数
4 Channel
针脚数
14 Position
功耗
680 mW
共模抑制比
70dB ~ 100dB
输入补偿漂移
10.0 µV/K
带宽
4 MHz
转换速率
13.0 V/μs
增益频宽积
3 MHz
输入补偿电压
3 mV
输入偏置电流
50 pA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
增益带宽
3 MHz
耗散功率(Max)
680 mW
共模抑制比(Min)
80 dB
电源电压
8V ~ 36V
电源电压(Max)
36 V
电源电压(Min)
7 V

LF347BN 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
19.3 mm
宽度
6.35 mm
高度
4.57 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃

LF347BN 数据手册

TI(德州仪器)
51 页 / 2.4 MByte
TI(德州仪器)
4 页 / 0.25 MByte

LF347 数据手册

TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF347N  运算放大器, 四路, 3 MHz, 4个放大器, 13 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, DIP, 14 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF347DR  运算放大器, 四路, 3 MHz, 4个放大器, 13 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 14 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LF347DT  运算放大器, 四路, 4 MHz, 4个放大器, 16 V/µs, SOIC, 14 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
LF347 系列 18V 4 MHz 宽带宽 双 J-FET 运算放大器 - SOIC-14
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF347D  运算放大器, 四路, 3 MHz, 4个放大器, 13 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 14 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF347BN  运算放大器, 四路, 4 MHz, 4个放大器, 13 V/µs, 8V 至 36V, DIP, 14 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF347N/NOPB  四路运算放大器
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LF347N  运算放大器, 四路, 4 MHz, 4个放大器, 16 V/µs, ± 15V, DIP, 14 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF347M/NOPB  运算放大器, 四路, 4 MHz, 4个放大器, 13 V/µs, 8V 至 36V, SOIC, 14 引脚
TI(德州仪器)
Texas Instruments
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