￥ 2.566

IRF840 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道增强型功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF840 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

IRF840 数据手册 (8 页)

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IRF840 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

8.00 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

850 mΩ

极性

N-Channel

功耗

125W (Tc)

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

8.00 A

上升时间

21.0 ns

输入电容值(Ciss)

832pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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IRF840 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

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IRF840 符合标准

IRF840 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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