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IRF840APBF
0.832
IRF840APBF 数据手册 (9 页)
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IRF840APBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
功耗
125000 mW
上升时间
23 ns
输入电容值(Ciss)
1018pF @25V(Vds)
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
125W (Tc)

IRF840APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF840APBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 0.27 MByte
Vishay Siliconix
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IRF840 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
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Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
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N沟道 500V 8A
CJ(长电科技)
MOS场效应管 IRF840 TO-220-3L
TI(德州仪器)
0.9 -A恒流电源带PFC的100W的LED A 0.9-A Constant Current Supply with PFC for 100-W LED
Advanced Power Electronics(富鼎先进电子)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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