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Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > IRF840ASTRLPBF Datasheet 文档
IRF840ASTRLPBF
0.321

IRF840ASTRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
漏源极电阻
850 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3.1 W
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
8.00 A
上升时间
23 ns
输入电容值(Ciss)
1018pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.1 W
下降时间
19 ns

IRF840ASTRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
最小包装数量
2000

IRF840ASTRLPBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.19 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.65 MByte

IRF840 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道增强型功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Motorola(摩托罗拉)
N沟道 500V 8A
CJ(长电科技)
MOS场效应管 IRF840 TO-220-3L
TI(德州仪器)
0.9 -A恒流电源带PFC的100W的LED A 0.9-A Constant Current Supply with PFC for 100-W LED
Advanced Power Electronics(富鼎先进电子)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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