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IRF8788TRPBF
器件3D模型
0.439
IRF8788TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRF8788TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2.5 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
3.8 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
1.8 V
输入电容
5720pF @15V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
24A
上升时间
24 ns
输入电容值(Ciss)
5720pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRF8788TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF8788TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.22 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte

IRF8788 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
IRF8788TRPBF 袋装
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF8788PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.8 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 30V 24A
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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