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IRFL210TRPBF
0.292
IRFL210TRPBF 数据手册 (8 页)
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IRFL210TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
针脚数
4 Position
漏源极电阻
1.5 Ω
极性
N-Channel
功耗
2 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
960 mA
上升时间
17 ns
输入电容值(Ciss)
140pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
8.9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.1 W

IRFL210TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
2500

IRFL210TRPBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.15 MByte
VISHAY(威世)
10 页 / 0.21 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 0.58 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 1.35 MByte

IRFL210 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
N沟道,200V,0.96A,1.5Ω@10V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 1.5ohm ,ID = 0.96A ) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=0.96A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFL210PBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 960 mA, 200 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V
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