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IRF9410 数据手册 - IRF
制造商:
IRF
描述:
功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 0.030ohm ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.030ohm)
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IRF9410数据手册
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IRF9410
Fig 5. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 8. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
0
40
80
120
160
200
25 50 75 100 125 150
J
E , Single Pulse Avalanche Energy (mJ)
AS
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
I
TOP 2.1A
3.7A
BOTTOM 4.6A
D
Fig 6. Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 7. Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature ( C)
R , Drain-to-Source On Resistance
(Normalized)
J
DS(on)
°
V =
I =
GS
D
10V
7.0A
0.02
0.03
0.04
0.05
0 5 10 15 20 25
R , Drain-to-Source On Resistance
A
I , Drain Current (A)
V = 10V
V = 4.5V
(
Ω
)
DS(on)
D
GS
GS
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
36 91215
A
I = 7.0A
D
GS
V -Gate-to-Source Voltage (V)
R
DS
(on) , Drain-to-Source On Resistance (Ω)
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