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IRF9520PBF
0.779
IRF9520PBF 数据手册 (9 页)
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IRF9520PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-6.80 A
封装
TO-220-3
额定功率
60 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.6 Ω
极性
P-Channel
功耗
60 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
-100 V
连续漏极电流(Ids)
-6.80 A
上升时间
29 ns
输入电容值(Ciss)
390pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
60 W
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
60 W

IRF9520PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量
50

IRF9520PBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.26 MByte
VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
10 页 / 0.15 MByte

IRF9520 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Intersil(英特矽尔)
6A , 100V , 0.600欧姆,P沟道功率MOSFET 6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFET
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
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P沟道 100V 6A
Fairchild(飞兆/仙童)
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Samsung(三星)
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