￥ 0.17

IRF9530NPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON IRF9530NPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 13 A, -100 V, 200 mohm, -10 V, -4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF9530NPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF9530NPBF 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRF9530NPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

79 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.2 Ω

极性

P-CH

功耗

79 W

阈值电压

4 V

输入电容

760 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

14A

上升时间

58 ns

输入电容值(Ciss)

760pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

79 W

下降时间

46 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

79W (Tc)

查看数据手册 >

IRF9530NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

10.54 mm

宽度

4.4 mm

高度

8.77 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRF9530NPBF 符合标准

IRF9530NPBF 概述

IRF9530NPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.22 MByte

IRF9530NPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF9530NPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.3 MByte

IRF9530NPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF9530NPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF9530NPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.04 MByte

IRF9530NPBF 产品手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.17 MByte

IRF9530NPBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.14 MByte

IRF9530 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRF9530 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRF9530 数据手册

Vishay Siliconix

IRF9530 数据手册

Intersil（英特矽尔）

12A ， 100V ， 0.300欧姆，P沟道功率MOSFET 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

IRF9530 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF9530 数据手册

Samsung（三星）

IRF9530 数据手册

Harris

P沟道 100V 12A

IRF9530 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRF9530 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

IRF9530 数据手册

Semelab

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号