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IRF9530 数据手册

型号系列:
IRF9530 系列
分类:
MOS管
描述:
功率MOSFET Power MOSFET
更新于: 2023/01/13 01:23:24 (UTC + 8)

IRF9530 MOS管 数据手册

#1
IRF9530NSTRLPBF

IRF9530NSTRLPBF

数据手册 (12 )
4.2
Infineon(英飞凌)
#2
IRF9530NSPBF

IRF9530NSPBF

数据手册 (12 )
3.1
Infineon(英飞凌)
#3
IRF9530NSTRLPBF

IRF9530NSTRLPBF

数据手册 (12 )
2.7
International Rectifier(国际整流器)
#4
IRF9530

IRF9530

数据手册 (12 )
0.5
Samsung(三星)

IRF9530 数据手册 MOS管

11
Infineon(英飞凌)
N沟道 100V 14A
11
International Rectifier(国际整流器)
-100V,-14A,200mΩ,P沟道功率MOSFET
11
VISHAY(威世)
P 通道 MOSFET,100V 至 400V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
11
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
11
International Rectifier(国际整流器)
11
Vishay Siliconix
11
Intersil(英特矽尔)
12A , 100V , 0.300欧姆,P沟道功率MOSFET 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
11
Harris
P沟道 100V 12A
11
Infineon(英飞凌)
10
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9530NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 13 A, -100 V, 200 mohm, -10 V, -4 V
10
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF9530NPBF  场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 14A, TO-220AB 新
9
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
9
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRF9530PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -100 V, 300 mohm, -10 V, -4 V
9
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
8
Vishay Siliconix
8
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET

IRF9530 - VISHAY(威世) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
88 W
漏源极电压(Vds)
100 V
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