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IRF9530NS
0.365
IRF9530NS 数据手册 (11 页)
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IRF9530NS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-14.0 A
封装
TO-263
极性
P-Channel
功耗
3.8 W
零部件系列
IRF9530NS
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
-100 V
连续漏极电流(Ids)
14.0 A
上升时间
58.0 ns
输入电容值(Ciss)
760pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.8 W

IRF9530NS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
End of Life
包装方式
Tape & Reel (TR)

IRF9530NS 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.17 MByte

IRF9530 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Intersil(英特矽尔)
12A , 100V , 0.300欧姆,P沟道功率MOSFET 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
International Rectifier(国际整流器)
Samsung(三星)
Harris
P沟道 100V 12A
Infineon(英飞凌)
Fairchild(飞兆/仙童)
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