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IRF9620S
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IRF9620S 数据手册 (8 页)
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IRF9620S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-200 V
额定电流
-3.50 A
极性
P-Channel
功耗
40.0 W
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
-200 V
连续漏极电流(Ids)
3.50 A
上升时间
25.0 ns

IRF9620S 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.16 MByte
International Rectifier(国际整流器)
6 页 / 0.16 MByte

IRF9620 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
3.5A , 200V , 1.500欧姆,P沟道功率MOSFET 3.5A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -200V , RDS(ON) = 1.5ohm ,ID = -3.5A ) Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.5A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRF9620PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 3.5 A, -200 V, 1.5 ohm, -10 V, -4 V
VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
P沟道 200V 3.5A
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