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IRF9640SPBF
1.379
IRF9640SPBF 数据手册 (10 页)
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IRF9640SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
额定功率
125 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
500 mΩ
极性
P-Channel
功耗
3 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
-200 V
连续漏极电流(Ids)
-11.0 A
上升时间
43 ns
输入电容值(Ciss)
1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3 W
下降时间
38 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3 W

IRF9640SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
2000

IRF9640SPBF 数据手册

VISHAY(威世)
10 页 / 0.18 MByte
VISHAY(威世)
13 页 / 0.35 MByte
VISHAY(威世)
3 页 / 0.06 MByte

IRF9640 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Intersil(英特矽尔)
11A , 200V , 0.500欧姆,P沟道功率MOSFET 11A, 200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
Samsung(三星)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道,-200V,-11A,500mΩ@-10V
VISHAY(威世)
P 通道 MOSFET,100V 至 400V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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