器件3D模型

￥ 0.031

NTLJF3117PT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

WDFN-6

描述:

P 通道 MOSFET，带肖特基二极管，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

Pictures:

3D模型

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焊盘图

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NTLJF3117PT1G 数据手册 (8 页)

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NTLJF3117PT1G 数据手册 (8 页)

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NTLJF3117PT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

WDFN-6

漏源极电阻

100 mΩ

极性

P-Channel

功耗

1.5 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

4.10 A, -3.30 A

输入电容值(Ciss)

531pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

710 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

710mW (Ta)

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NTLJF3117PT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

2 mm

高度

0.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTLJF3117PT1G 符合标准

NTLJF3117PT1G 海关信息

NTLJF3117PT1G 概述

NTLJF3117PT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.1 MByte

NTLJF3117PT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.47 MByte

NTLJF3117PT1 数据手册

NTLJF3117PT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

P 通道 MOSFET，带肖特基二极管，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

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