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IRF9953TR
器件3D模型
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IRF9953TR 数据手册 (7 页)
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IRF9953TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
2.3A
输入电容值(Ciss)
190pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2 W

IRF9953TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF9953TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.1 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.02 MByte

IRF9953 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -30V , RDS(ON) =仅为0.25mΩ ) Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm)
Infineon(英飞凌)
HEXFET® 双 P 通道功率 MOSFET,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9953PBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.3 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -1 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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