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IRF9Z14PBF
0.499
IRF9Z14PBF 数据手册 (9 页)
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IRF9Z14PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
功耗
43000 mW
上升时间
63 ns
输入电容值(Ciss)
270pF @25V(Vds)
下降时间
31 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
43W (Tc)

IRF9Z14PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
高度
15.49 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF9Z14PBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 0.26 MByte
Vishay Siliconix
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IRF9Z14 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(ON) = 0.50ohm ,ID = -6.7A ) Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A)
VISHAY(威世)
单 P 沟道 60 V 0.5 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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